英特尔昨日宣布与软银（SoftBank）子公司Saimemory签署合作协议，将共同开发新型垂直堆叠存储器，命名为Z-Angle Memory（ZAM），以满足人工智能和高性能计算的需求。预计2027年推出原型，2030年实现商业化。

Saimemory是日本IT巨头软银集团的子公司，核心业务为开发堆叠式DRAM架构。在此次合作中，Saimemory负责ZAM技术的主导研发、生产及商业化，英特尔提供技术支持。尽管Saimemory为技术主导方，但该公司实为英特尔与软银的合资企业，软银为大股东，英特尔则贡献其下一代DRAM键合技术NGDB（Next Generation DRAM Bonding）。该技术源于美国三大国家实验室——桑迪亚国家实验室、劳伦斯利弗莫尔国家实验室和洛斯阿拉莫斯国家实验室的先进存储技术（Advanced Memory Technology，AMT）研发项目。

据Tom"s Hardware报道，两家公司自去年年中开始推进ZAM研发，融合了日本专利与英特尔的先进封装技术。双方计划于2026年第一季度正式启动合作，2027年交付存储器原型，并于2030年推向市场。

此次合作开发的ZAM将与当前AI数据中心广泛使用的高带宽存储器（High Bandwidth Memory，HBM）形成竞争。据WCCFtech报道，ZAM是一种新型DRAM单元结构，目前尚无ZAM与HBM的性能对比数据，但官方此前表示，其设计目标为高容量、高带宽和低功耗。

这项合作不仅是英特尔自1980年代退出存储器市场后重返该领域的关键一步，也标志着日本半导体产业的强势回归。日本在上世纪80年代曾是存储器领域的全球领导者，此后逐渐被中国大陆和韩国企业超越。