三星电子

继英特尔与台积电之后，美国商务部周一（4/15）宣布，已与三星电子（Samsung Electronics ）签署初步备忘录，基于《晶片与科学法案》（Chips and Science Act，CHIPS Act）补助三星64亿美元以于美国生产晶片。

根据双方的协议，未来几年三星将投入至少400亿美元以于美国建立半导体工厂聚落，包括在德州泰勒兴建先进製造生态体系，将包含两家专注于大规模生产4奈米及2奈米製造技术的代工厂，一家致力于研发先进节点技术的工厂，以及一家导入AI应用以生产3D高频宽记忆体与2.5D封装的封装厂，在此一聚落所设计及生产的半导体将供应通讯、汽车、国防、高效能运算以及AI应用。

另也包括三星承诺要扩建位于德州奥斯汀的现有设施，发展全空乏绝缘上覆硅（fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI）製程技术，以支持美国的航太、国防及汽车等关键领域。

双方预计相关的投资将替美国在未来5年内，创造逾1.7万个建筑工作机会，以及4,500个高薪的製造业职缺。

CHIPS Act的目标之一，是让美国在2030年的先进晶片生产能力达到全球的20%。在CHIPS Act对全球主要代工厂的补助中，英特尔拿到85亿美元的补助与110亿美元的联邦贷款，台积电拿到66亿美元的补助与50亿美元的贷款，而三星则是取得64亿美元的补助。另一方面，在取得美国补助后，英特尔承诺要在美国投资超过1,000亿美元，台积电为650亿美元，三星则是400亿美元。